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陳飛副省長(zhǎng)調(diào)研頂立科技

發(fā)布時(shí)間:2021-05-13發(fā)布人:瀏覽:
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5月11日,陳飛副省長(zhǎng)率隊(duì)蒞臨頂立科技,實(shí)地了解由頂立科技承擔(dān)的我省“十大技術(shù)攻關(guān)”項(xiàng)目之一“第三代SiC/GaN半導(dǎo)體用關(guān)鍵材料與裝備核心技術(shù)研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化”項(xiàng)目建設(shè)情況。省政府副秘書(shū)長(zhǎng)周義祥、省科技廳廳長(zhǎng)童旭東、省工信廳黨組書(shū)記毛騰飛、省自然資源廳二級(jí)巡視員劉斌、長(zhǎng)沙市政府副市長(zhǎng)邱繼興等領(lǐng)導(dǎo)參加調(diào)研,頂立科技董事長(zhǎng)戴煜、副總經(jīng)理羊建高參加匯報(bào)。

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頂立科技戴煜董事長(zhǎng)就項(xiàng)目背景、意義、主要研究?jī)?nèi)容、年度目標(biāo)、預(yù)期成果、進(jìn)展情況及產(chǎn)業(yè)鏈合作單位情況逐一進(jìn)行了匯報(bào)。

陳飛副省長(zhǎng)調(diào)研頂立科技 (2).jpg

第三代半導(dǎo)體材料技術(shù)是世界科技的前沿技術(shù),市場(chǎng)前景廣闊,同時(shí)也是關(guān)系到國(guó)家安全的重大戰(zhàn)略需求技術(shù)。頂立科技圍繞第三代寬禁帶半導(dǎo)體GaN單晶和SiC單晶用“四高”“兩涂”材料的關(guān)鍵技術(shù)難點(diǎn)進(jìn)行攻關(guān),預(yù)計(jì)通過(guò)三年時(shí)間,實(shí)現(xiàn)高純碳粉等關(guān)鍵材料、SiC涂層等關(guān)鍵技術(shù)的自主可控、突破“卡脖子”;同時(shí)實(shí)現(xiàn)高溫純化、化學(xué)氣相沉積等核心裝備的進(jìn)口替代。 

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陳飛副省長(zhǎng)充分肯定了項(xiàng)目對(duì)湖南省新一代半導(dǎo)體材料產(chǎn)業(yè)鏈的促進(jìn)作用,鼓勵(lì)企業(yè),聚焦新材料領(lǐng)域“卡脖子”問(wèn)題,找準(zhǔn)對(duì)標(biāo)對(duì)象,加大創(chuàng)新力度,提高站位,為實(shí)施“三高四新”戰(zhàn)略作出更大貢獻(xiàn)。

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